آی سی رم D9LPX ddr2 ram MT47H32M16HR-25E:G

MT47H32M16HR-25EG

آی سی رم D9LPX ddr2 ram MT47H32M16HR-25E:G

ویژگی‌های فنی اصلی

  • ولتاژ تغذیه:

    • VDD = 1.8V ± 0.1V

    • VDDQ = 1.8V ± 0.1V

  • پشتیبانی از استاندارد JEDEC برای SSTL_18

  • استفاده از کلاک دیفرانسیل (CK, CK#)

  • 4 بانک داخلی مستقل برای عملیات هم‌زمان

  • طراحی با معماری 4n-prefetch:
    برای هر کلاک داخلی، 4 بیت اطلاعات به طور هم‌زمان منتقل می‌شود.

  • پشتیبانی از طول برست (Burst Length) برابر با 4 یا 8

  • قابلیت تنظیم تاخیر CAS (CAS Latency – CL)

  • پشتیبانی از Termination داخلی (ODT)

  • گزینه‌های دمایی:

    • تجاری (0 تا 85 درجه)

    • صنعتی (–40 تا 95 درجه)

    • خودرویی (–40 تا 105 درجه)

دسته: , برچسب: , , ,

توضیحات

آی سی رم D9LPX ddr2 ram MT47H32M16HR-25E:G

در ادامه، خلاصه‌ای جامع  دیتاشیت حافظه‌های DDR2 SDRAM با ظرفیت ۵۱۲ مگابیت از شرکت Micron شامل مدل‌های زیر ارائه می‌شود:

  • MT47H128M4 (32M x 4 x 4 banks)

  • MT47H64M8 (16M x 8 x 4 banks)

  • MT47H32M16 (8M x 16 x 4 banks)

معرفی کلی

حافظه‌های DDR2 SDRAM با ظرفیت ۵۱۲Mb از نوع حافظه‌های دینامیک با نرخ دو برابر (Double Data Rate) هستند که برای سیستم‌های با عملکرد بالا در مصارف صنعتی، خودرویی و تجاری طراحی شده‌اند. این تراشه‌ها در پیکربندی‌های مختلف ارائه می‌شوند که از لحاظ پهنای بیت داده (x4، x8، x16) و نوع پکیج متفاوت‌اند.

ویژگی‌های فنی اصلی

  • ولتاژ تغذیه:

    • VDD = 1.8V ± 0.1V

    • VDDQ = 1.8V ± 0.1V

  • پشتیبانی از استاندارد JEDEC برای SSTL_18

  • استفاده از کلاک دیفرانسیل (CK, CK#)

  • 4 بانک داخلی مستقل برای عملیات هم‌زمان

  • طراحی با معماری 4n-prefetch:
    برای هر کلاک داخلی، 4 بیت اطلاعات به طور هم‌زمان منتقل می‌شود.

  • پشتیبانی از طول برست (Burst Length) برابر با 4 یا 8

  • قابلیت تنظیم تاخیر CAS (CAS Latency – CL)

  • پشتیبانی از Termination داخلی (ODT)

  • گزینه‌های دمایی:

    • تجاری (0 تا 85 درجه)

    • صنعتی (–40 تا 95 درجه)

    • خودرویی (–40 تا 105 درجه)

  • سازگار با RoHS

انواع پیکربندی حافظه

مدل آرایش سلول‌ها ظرفیت بیت بانک‌ها بیت داده
MT47H128M4 32M x 4 x 4 banks 512Mb 4 4
MT47H64M8 16M x 8 x 4 banks 512Mb 4 8
MT47H32M16 8M x 16 x 4 banks 512Mb 4 16

توپولوژی و دیاگرام عملکرد

این حافظه‌ها بر پایه ساختار چندبانکی طراحی شده‌اند که هر بانک از آرایه‌ای از سطرها و ستون‌ها تشکیل شده است. داده‌ها به وسیله باس دوبل (DQ) و استروب داده (DQS، DQS#) منتقل می‌شوند.

در مدل x16، دو استروب داده وجود دارد:

  • LDQS/LDQS# برای بایت پایین (DQ0–DQ7)

  • UDQS/UDQS# برای بایت بالا (DQ8–DQ15)

در حین عملیات READ، استروب با لبه داده هماهنگ است (Edge-aligned)
در عملیات WRITE، مرکز تراز است (Center-aligned)

عملکرد دستورات

مهم‌ترین دستورات:

  • ACTIVATE: فعال‌سازی سطر مشخص از بانک

  • READ/WRITE: عملیات خواندن/نوشتن از آدرس مشخص

  • PRECHARGE: بستن سطر فعال

  • REFRESH/SELF REFRESH: بازسازی داده‌ها برای حفظ اطلاعات

  • LOAD MODE / EXTENDED MODE REGISTER: تنظیمات کلاک، برست، ODT و…

CAS Latency (CL):

مقدار زمان بین دریافت فرمان READ و شروع انتقال داده، که به صورت برنامه‌پذیر بین 3 تا 7 است.

مشخصات تایمینگ (Timing)

نرخ داده (Data Rate) و CL مربوطه:

سرعت CL = 3 CL = 4 CL = 5 CL = 6 CL = 7
DDR2-533 ✓ ✓
DDR2-667 ✓ ✓
DDR2-800 ✓ ✓
DDR2-1066 ✓

پارامترهای کلیدی:

  • tCK (کلاک پریود): از 1.875ns تا 5ns

  • tRCD (تاخیر بین ACT و READ/WRITE): 12 تا 15ns

  • tRP (تاخیر پیش‌شارژ): 12 تا 15ns

  • tRC (زمان چرخه کامل سطر): تا 60ns

  • tRAS (زمان نگه‌داری سطر): حداقل 40 تا 45ns

  • tRFC (دوره بازسازی): تا 105ns برای 512Mb

مصرف جریان (IDD)

بسته به پیکربندی، سرعت و حالت کاری، مصرف جریان متفاوت است.

نمونه‌ای از IDD برای x16 در DDR2-800:

حالت جریان مصرفی (میلی‌آمپر)
IDD0 – فعال‌سازی + Precharge 110
IDD1 – عملیات خواندن 130
IDD2P – Power-down 7
IDD3N – Standby فعال 50–75
IDD4W – Burst Write 205
IDD4R – Burst Read 195
IDD5 – Refresh 175
IDD6 – Self-refresh 7
IDD7 – Read متوالی بانک‌ها 340

ویژگی‌های حرارتی

کاربرد دمای کاری کیس دمای محیط (TA)
تجاری 0 تا 85°C 0 تا 85°C
صنعتی –40 تا 95°C –40 تا 85°C
خودرویی –40 تا 105°C –40 تا 105°C

نکته: اگر دمای کیس (TC) از 85°C بیشتر شود، نرخ بازسازی (Refresh) باید دو برابر شود.

پکیج و توپولوژی پین‌ها

نوع پکیج:

بیت داده پکیج تعداد پین ابعاد (mm)
x4/x8 FBGA-60 60 8×10
x16 FBGA-84 84 8×12.5

پین‌های مهم:

  • CK, CK#: کلاک دیفرانسیل

  • CS#: چیپ سلکت

  • RAS#, CAS#, WE#: ورودی‌های کنترلی

  • CKE: فعال‌سازی کلاک

  • DQ[15:0]: خطوط داده

  • DQS/DQS#: استروب داده

  • ODT: کنترل ترمینیشن داخلی

  • VDD/VDDQ/VREF/VSS: خطوط تغذیه و زمین

رجیسترهای حالت و کنترل عملکرد

Mode Register (MR):

  • تنظیم برست، نوع برست، تاخیر CAS، DLL، و…

Extended Mode Register (EMR):

  • فعال‌سازی ODT، قدرت درایور خروجی، RDQS و…

EMR2 و EMR3:

  • قابلیت‌های اضافی مثل OCD (کالیبراسیون مقاومت خروجی)

حالات توان

  • Active Power-Down

  • Precharge Power-Down

  • Self-Refresh

  • Fast/Slow Exit بسته به تنظیمات در MR

عملیات زمان‌بندی و دستورات

READ/WRITE با Auto-Precharge:

داده‌ها بعد از پایان انتقال به‌صورت خودکار بانک را Precharge می‌کنند.

WRITE با ماسک (DM):

در هر عملیات WRITE، بیت‌هایی از داده قابل Mask شدن هستند.

استفاده صنعتی و طراحی حرارتی

  • حفظ دمای کاری مناسب برای اطمینان از پایداری

  • استفاده از هیت‌سینک یا تهویه اجباری برای دماهای بالا

  • استفاده از مقاومت‌های Termination برای کاهش بازتاب

جمع‌بندی

این تراشه‌های DDR2 SDRAM با ظرفیت ۵۱۲Mb از شرکت Micron راهکاری پیشرفته، پرسرعت و مطمئن برای استفاده در سیستم‌های الکترونیکی حرفه‌ای هستند. طراحی با ۴ بانک داخلی، پشتیبانی از ترمینیشن داخلی، کنترل دقیق زمان‌بندی‌ها، و سازگاری با محیط‌های صنعتی و خودرویی، آن‌ها را به انتخابی مناسب برای انواع کاربردها از جمله سیستم‌های جاسازی‌شده، ماژول‌های حافظه و تجهیزات مخابراتی تبدیل کرده است.

دانلود دیتاشیت :
MT47H128M4,64M8,32M16

MT47H32M16HR-25EG
MT47H32M16HR-25EG

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “آی سی رم D9LPX ddr2 ram MT47H32M16HR-25E:G”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

محصولات مرتبط